PM904F ABB 全新现货欢迎询价

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程序中，在进行读写操作时，片选使能信号CE_SRAM及输出使能信号OE_SRAM始终为低电平。

第0时刻到第2时刻在进行写操作：第0时刻地址线addr_SRAM和数据线data_SRAM同时赋新值，控制线WE_SRAM、LB_SRAM、UB_SRAM要经历一个窄脉冲的变化过程，RAM在获取到此控制线下降沿信息后，便知开始进行写操作。需要注意的是，虽然数据在第0时刻已赋到数据线上，但因为写操作是控制线低电平有效，所以数据线上真正发生数据更新是在控制线变为低电平之后，因此，数据线上的实际更新时刻是在第2个时刻。

第3、4状态是进行读操作：在读写转换时刻，也就是在第3时刻如前所述需给数据线上送高阻态。这样，读取数据的时序关系由系统时钟进行控制，在第3时刻给地址线上送要读取的地址，第4时刻将数据端口上的数据送出。这里需注意的是，读取数据要比读取地址晚一个时刻。从而，完成了对外部RAM的读写操作控制。Siemens Simatic S5 6ES5 315-8MA11 6ES5315-8MA11 E:3

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