IS200TRTDH1B GE 电磁辐射产生

GE IS200TRTDH1BCC
GE IS200TRTDH1C
GE IS200TRTDH1CCC
GE IS200TRTDH1D
GE IS200TSVCH1A
GE IS200TSVCH1A GMR
GE IS200TSVOH1B
GE IS200TSVOH1BAA
GE IS200TSVOH1BBB
GE IS200TTPWH1A
GE IS200TTRUH1C
GE IS200TTURH1B
GE IS200TTURH1C
GE IS200TTURH1C(FD)

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Description

主要由系统内部元器件及电路间的相互电磁辐射产生,如逻辑电路相互辐射及其对模拟电路的影响,模拟地与逻辑地的相互影响及元器件间的相互不匹配使用等。这都属于PLC制造厂对系统内部进行电磁兼容设计的内容,比较复杂,作为应用部门是无法改变,可不必过多考虑,但要选择具有较多应用实绩或经过考验的系统。

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