IS210DTURH1AA GE 开发控制器

GE IS210TRPGH2B
GE IS210WSVOH1A
GE IS210WSVOH1A WSVO
GE IS215ACLAH1A
GE IS215ACLEH1A
GE IS215ACLEH1C
GE IS215UCCAM03A
GE IS215UCCCM04A
GE IS215UCCCS05A
GE IS215UCVDH1A
GE IS215UCVDH2AA

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Description

随着WIN NT系统的开始,用PC开发控制器的难度越来越高,而可靠性却越来越低,高速的CPU系统使功耗增加,学电子的朋友可能知道,半导体的损坏中最常见的一项是过热损坏,一般硅半导体的结温最多可以承受120度,IPC功耗的增加使其对应用环境的要求也同步升高;另外IPC芯片封装的密度,特别是BGA等高密度封装使其无法在工业的高尘高污的环境中使用。

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