IS230STAIH2A GE 逻辑地的相互影响

GE IS230STTCH2A
GE IS230TCATH1A
GE IS230TDBSH2A
GE IS230TPR0H3C
GE IS230TPROH3C
GE IC695CPU315
GE DS200DCFBG1BGB
GE IC200CBL002
GE IC695CRU320
GE IS200VCMIH2BEE
GE IS210AEPSG1A
GE IC695CPE310

Description

主要由系统内部元器件及电路间的相互电磁辐射产生,如逻辑电路相互辐射及其对模拟电路的影响,模拟地与逻辑地的相互影响及元器件间的相互不匹配使用等。这都属于PLC制造厂对系统内部进行电磁兼容设计的内容,比较复杂,作为应用部门是无法改变,可不必过多考虑,但要选择具有较多应用实绩或经过考验的系统。

HONEYWELL R7247C 1001 REMAN. U.V. AMPLIFIER R7247C1001

MODICON AM-SA85-000 MODULE REPAIRED AMSA85000

FEDERAL SIGNAL CORPORATION 300GC-120 NEW 300GC120

Allen Bradley 1326-CEU-50 Servo Cable 1326CEU50 NEW