MKS RPS AX7695

概述

MKS R*evolution® III Remote Plasma Source AX7695 是一款用于半导体晶圆加工的远程等离子体源。它采用创新的射频 (RF) 功率源和腔室设计,可提供高密度、均匀的等离子体,适用于各种刻蚀、沉积和清洗应用。

主要特点

  • 高密度等离子体: 采用独特的射频 (RF) 功率源和腔室设计,可产生高密度、均匀的等离子体,确保出色的工艺效果。
  • 低污染: 采用远程等离子体设计,可最大限度地减少对晶圆的污染。
  • 高效率: 采用高效的射频 (RF) 功率源,可降低功耗。
  • 易于使用: 提供友好的用户界面和多种控制选项,方便用户操作。

应用

MKS R*evolution® III Remote Plasma Source AX7695 广泛应用于以下领域:

  • 晶圆刻蚀: 用于刻蚀各种半导体材料,包括硅、二氧化硅、氮化硅和砷化镓等。
  • 薄膜沉积: 用于沉积各种薄膜材料,包括金属、介质和化合物等。
  • 晶圆清洗: 用于去除晶圆表面的污染物。

规格

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Description

MKS R*evolution® III Remote Plasma Source AX7695 产品详情

概述

MKS R*evolution® III Remote Plasma Source AX7695 是一款用于半导体晶圆加工的远程等离子体源。它采用创新的射频 (RF) 功率源和腔室设计,可提供高密度、均匀的等离子体,适用于各种刻蚀、沉积和清洗应用。

主要特点

  • 高密度等离子体: 采用独特的射频 (RF) 功率源和腔室设计,可产生高密度、均匀的等离子体,确保出色的工艺效果。
  • 低污染: 采用远程等离子体设计,可最大限度地减少对晶圆的污染。
  • 高效率: 采用高效的射频 (RF) 功率源,可降低功耗。
  • 易于使用: 提供友好的用户界面和多种控制选项,方便用户操作。

应用

MKS R*evolution® III Remote Plasma Source AX7695 广泛应用于以下领域:

  • 晶圆刻蚀: 用于刻蚀各种半导体材料,包括硅、二氧化硅、氮化硅和砷化镓等。
  • 薄膜沉积: 用于沉积各种薄膜材料,包括金属、介质和化合物等。
  • 晶圆清洗: 用于去除晶圆表面的污染物。

规格

  • 射频 (RF) 功率: 500 W 至 3000 W
  • 等离子体密度: > 10^10 cm^-3
  • 均匀性: < ±5%
  • 晶圆尺寸: 2 英寸至 12 英寸
  • 工作压力: 0.5 Torr 至 20 Torr
  • 气体流量: 10 slm 至 200 slm

山西润盛进出口有限公司
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